Rot-Laser kleiner als eine Bakterie

"Das könnte die ultimative Basis für monolithische Lichtquellen der Zukunft legen, die den Graben zwischen elektronischen und photonischen Schaltkreisen überwinden", schreiben Roger Chen und seine Kollegen von der Applied Science and Technology Group der kalifornischen Universität. Ihnen gelang es, eine sechseckige und nur einen halben Millionstel Meter kleine Säule aus Indiumgalliumarsenid auf einer Silizium-Unterlage wachsen zu lassen. Dieser so genannte III-V-Halbleiter wird bereits in Leuchtdioden verwendet und sendet auch in diesem Nanolaser kohärente, infrarote Lichtwellen aus.
Wichtig für die Erzeugung des gebündelten Laserlichts ist die hexagonale Struktur des Nanolasers. Dadurch werden nach einer optischen Anregung die Lichtwellen mehrmals im Material reflektiert und verstärkt. Da die Fabrikation bereits bei relativ kühlen 400 Grad Celsius funktionierte, könnte dieses Verfahren mit den etablierten Lithografie-Methoden der Chiphersteller kombiniert werden.
"Diese Technologie hat das Potenzial für eine Massenfertigung", sagt Connie Chang-Hasnain, die an den Arbeiten beteiligt war. In Zukunft wollen die Forscher die Lichtausbeute noch besser kontrollieren und vergrößern. Damit stünde nach ihren Angaben einer Hochzeit von etablierten elektronischen Schaltkreisen und einer Datenverarbeitung mit Lichtteilchen nichts mehr im Wege.