Sparsam und schnell: Neuartiger Transistor schaltet mit Piezokristallen

Erste Prototypen ganz ohne Halbleiter entwickelt - Ungewöhnliches Konzept könnte den Strombedarf von Elektronik drastisch senken
Prototyp und Aufbauschema eines piezoelektronischen Transistors (PET), der mit sehr kleinen Schaltspannungen auskommt.
Prototyp und Aufbauschema eines piezoelektronischen Transistors (PET), der mit sehr kleinen Schaltspannungen auskommt.
© IBM Watson Research Center, Yorktown Heights
Yorktown Heights (USA) - Silizium-Transistoren sind die Taktgeber unserer Zeit. Bis zu sieben Milliarden ballen sich heute auf Multikern-Prozessoren. Diese Zahl könnte sich weiterhin alle zwei Jahre gemäß dem Moore´schen Gesetz verdoppeln. Doch bei den notwendigen Schaltspannungen von knapp einem Volt sind die physikalischen Grenzen erreicht. Um dennoch sparsamere Schaltkreise zu entwickeln, suchen Forscher weltweit nach neuen Transistorkonzepten für die Post-Silizium-Ära. In winzigen Piezokristallen sehen amerikanische Wissenschaftler nun eine geeinigte Alternative. Über erste Prototypen völlig neuartiger, piezoelektronischer Transistoren, kurz PET genannt, berichten sie in den Fachzeitschriften „Nanotechnology“ und „Applied Physics Letters“.

„Mit der herkömmlichen Technologie können Schaltspannungen und Strombedarf nicht mehr weiter reduziert werden“, bringen es Glenn Martyna und seine Kollegen vom IBM Watson Research Center in Yorktown Heights auf den Punkt. Dieses Problem könnten die piezoelektrischen Kristalle lösen, die Silizium im Transistor ersetzen sollen. Der neuartige Schaltprozess hat dabei nichts mehr mit dem herkömmlichen Fluss der Elektronen durch einen Halbleiter gemeinsam. Piezoelektrische Module verknüpfen vielmehr elektrische mit mechanischen Eigenschaften. So dehnen sie sich unter elektrische Spannung gesetzt aus oder verändern ihre Leitfähigkeit, wenn sie zusammengedrückt werden.

Diese beiden Effekte nutzten die Forscher in ihren ersten PET-Prototypen aus. Sie ordneten dazu jeweils zwei piezoelektrische Elemente in der Größenordnung von wenigen Mikrometern in einer Transistor-ähnlichen Struktur an. Dabei nutzten sie exotisch klingende Materialien wie Bleimanganniobat, Bleititanat oder Samariumselenid, die sie geschickt zwischen mehrere Kontaktelektroden miteinander verknüpften. Ein erster Spannungspuls lud nun einen Piezokondensator auf, der sich über den piezoelektrischen Effekt ein wenig ausdehnte. Dadurch wurde die darüber liegende Komponente, ein sogenannter Piezowiderstand, zusammengedrückt. Dank dieses Drucks veränderte der Piezowiderstand seine elektrischen Eigenschaften und wandelte sich vom Isolator zum elektrischen Leiter. Die Folge: Ein elektrischer Strom konnte zwischen angelegten Elektroden fließen. Ähnlich wie bei einem herkömmlichen Silizium-Transistor konnte so mit einem kleinen Steuerstrompuls ein größerer Stromfluss geschaltet werden.

Für diesen Schaltvorgang reichten Spannungspulse von weniger als 200 Millivolt aus. Das ist ein Bruchteil der in Silizium-Transistoren benötigten Spannung. Die Ausdehnung des Piezokondensators erfolgte dabei so schnell, dass prinzipiell Schaltraten von einigen Gigahertz möglich waren. Ausgehend von ihren ersten praktischen Erfahrungen, simulierten Glenn Martyna und Kollegen weitere PET-Module für verschiedene elektronische Anwendungen. Dafür entwarfen sie verschiedene Transistorarchitekturen mit Strukturen in der Größenordnung zwischen drei und einigen hundert Nanometern. Für hoch integrierte Schaltkreise wie etwa in Prozessoren könnten die PETs mit geringen Spannungen von 115 Millivolt mit einer Frequenz von acht Gigahertz geschaltet werden. Interessant wären die piezoelektronischen Transistoren auch für die weitere Entwicklung von Leistungselektronik, die beispielsweise für den Betrieb von Stromgeneratoren oder Elektroautos von zentraler Bedeutung ist.

Trotz erster Erfolge ist der piezoelektronische Transistor von einer Marktreife weit entfernt. Nach ersten Prototypen müssten nun weitere Module entwickelt werden, die die viel versprechenden Simulationen bestätigen könnten. Danach stünde die langwierige Entwicklung von schnellen und möglichst günstigen Produktionsprozessen an. Dabei könnten die bereits gewonnenen Erfahrungen mit ausgeklügelten Lithographie-Verfahren der Silizium-Technologie einfließen. Sollten alle diese Hürden überwunden werden, lockt eine weitaus sparsamere Schalttechnik als heute. Der Strombedarf für Elektronik, der heute bei gut zehn Prozent der globalen Stromproduktion rangiert, ließe sich dann auch bei zunehmender Verbreitung elektronischer Datenverarbeitung zumindest konstant halten.

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